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                    pd18w快充和20w快充區別?

                    字號:T|T
                    文章出處:驪微電子責任編輯:電源管理芯片人氣:-發表時間:2020-11-24 09:49
                      近兩年隨著手機、電腦、平板等電子設備的普及,解決電量續航已成為眾多商家共同研究的發展方向,USB-PD是目前主流的快充協議之一,蘋果從iPhone 8開始所有機型都搭載PD快速充電功能,并未將快充套裝做為標配,為第三方快充配件產業鏈企業帶來巨大發展空間。
                      
                      驪微電子看準市場需求,并結合自身優勢,推出18W PD快充方案PN8161+PN8307H,以及 PD 20w快充方案PN8162+PN8307H,憑借著精簡的外圍電路、極佳的成本優勢以及可靠的穩定性獲得了市場的廣泛認可,下面了解下pd18w快充和20w快充區別。
                     
                      
                      PN8161+PN8307H 18W PD快充方案亮點:  
                      節省10顆以上外圍: 無啟動電阻、無CS偵測網絡,原副邊均實現SOP8功率集成;  
                      滿足CoC V5 Tier 2:專利高壓啟動,實現30mW待機功耗;工作曲線隨輸出電壓自適應,不同輸出電壓下平均效率裕量均大于4個點;  
                      EMC性能卓越:抖頻幅度隨負載自適應,改善傳導;DCM/QR工作模式,避免次級整流管反向恢復問題,改善輻射;  
                      3.3~12V寬輸出電壓范圍:PN8161/PN8307H供電范圍寬,無需額外LDO穩壓;  
                      協議芯片任意搭:SSR架構,方案易滿足PD3.0/QuickCharge 4+。
                     
                      
                      PN8162+PN8307H 20W PD 充電器方案八大亮點:  
                      ★ 原邊主控 PN8162 和次邊同步 PN8307H均實現功率集成,得益于專利智能 MOS 技術,節省啟動電阻、CS偵測電阻等多顆外圍,PCBA 尺寸:28mm*28mm*24mm;  
                      ★ PN8162 采用 PDFN 專用功率封裝,相比傳統 SOP8,封裝熱阻從 80℃/W 降低至 15℃/W,顯著提高充電器功率密度;單邊 drain 腳位,高低壓引腳爬電距離大于 1.2mm,安全可靠;  
                      ★ PN8162 采用負載自適應谷底開通技術,徹底解決小體積充電器開關干擾源至 LN 線位移電流帶來的傳導難題,EMC 裕量大于 6dB;  
                      ★ PN8162 工作強制 DCM 模式,從而保證最糟工況下 SR 尖峰電壓可控制在 51V 以內,60V 耐壓的 PN8307即可保證電壓 de-rating 裕量充足,進而降低整體方案成本;  
                      ★ PN8162 內置輸入欠壓保護,通過 DMG 監控市電,防止市低壓工作導致電源異常;  
                      ★ PN8162 9-38V VDD 供電、PN8307 3-24V VCC 供電,在 3-12V 輸出電壓范圍內無需外部 LDO;  
                      ★ PN8162 內置線電壓補償,根據市電自動調整內部峰值電流參考,全電壓范圍 OCP 精度在 10%以內;  
                      ★ HUSB339B 協議支持 PD3.0、PD2.0、QC3.0/QC2.0、AFC、FCP、BC1.2 DCP 及 5V2.4A。
                      
                      pd18w快充和20w快充主要區別在于原邊主控芯片的不一樣,18W PD快充方案采用的PN8161,集成市電Brown in/out、AC OVP等保護,可節省啟動電阻、CS偵測網絡、驅動及分離MOSFET等近顆10元器件,PD 20W快充方案采用的是PN8162,9-38V VDD 供電、采用 PDFN 專用功率封裝,相比傳統 SOP8,封裝熱阻從 80℃/W 降低至 15℃/W,顯著提高充電器功率密度;副邊芯片都是使用PN8307H,采用SOP8封裝,并通過控制策略創新降低SR反向電壓至50V以內,可顯著降低方案成本,PD快充選擇內置MOS的高集成方案,以此減少產品PCBA上元器件數量,降低系統成本、縮短產品開發周期、加速產品上市,搶占市場。
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